華太電子已經成功量產了1200V、1700V及650V功率模塊。采用超低損耗精細溝槽柵(TrenchGate)IGBT芯片組,結合場截止(FS)技術,顯著降低導通損耗(VCE(sat)和開關損耗(Eon/Eoff),支持650V(W2封裝)、1200V(D2)、1700V(ED3封裝)等多電壓等級,滿足不同功率需求。采用低熱阻結構及低雜散電感設計,最高結溫175°C。主要應用于光伏與儲能、工業(yè)控制、新能源汽車等領域
|
---|
華太電子
官方微信公眾號
華太電子
官方微信視頻號